Acepto

COOKIES

Esta web utiliza cookies técnicas, de personalización y de análisis, propias y de terceros, para anónimamente facilitarle la navegación y analizar estadísticas del uso de la web. Obtener más información

Mejorar la memoria es clave para desbloquear el futuro del 5G

  • Noticias y Actualidad

Samsung UFS 31

En el corazón de la transformación 5G se encuentra una red capaz de transferir grandes cantidades de datos a la velocidad del rayo. Los dispositivos móviles no solo requerirán más RAM, sino un almacenamiento más rápido y grande, algo que Samsung satisface con su solución de almacenamiento flash UFS 3.1.

Estamos en la cúspide de una transformación histórica en la conectividad móvil. Pero para realmente aprovechar todo el potencial de 5G, es crucial comenzar a sentar una base estable.

El crecimiento de los servicios de uso intensivo de datos requiere la instalación de más servidores de telecomunicaciones junto con un aumento en la memoria de banda 5G para smartphones, dispositivos de realidad virtual, automóviles autónomos y dispositivos IoT. Mientras tanto, será necesario implementar una nueva infraestructura de transmisión para facilitar la conectividad. Además, con el cambio hacia las redes virtuales de acceso por radio (RAN) y la virtualización de funciones de red (NFV), la expansión de las capacidades de memoria en las redes será fundamental en la transición de 4G a 5G.

5G ofrece numerosas posibilidades interesantes para experiencias multimedia en dispositivos móviles. Maximizar este potencial requiere soluciones de memoria móvil más sofisticadas. Los dispositivos móviles necesitan sistemas de memoria que puedan leer y escribir al mismo ritmo que la red para evitar crear un cuello de botella en el rendimiento al procesar contenido UHD. Los dispositivos móviles no solo requerirán más RAM para manejar aplicaciones y tareas multimedia habilitadas para 5G, sino que una mayor velocidad de descarga también impulsará la necesidad de un almacenamiento más rápido y grande.

Para ayudar a marcar el comienzo de la próxima ola de experiencias móviles fluidas e inmersivas, Samsung Electronics comenzó recientemente la producción en masa de una solución de almacenamiento flash de próxima generación: su UFS 3.1. La línea de Samsung se compone de tres capacidades de almacenamiento: 128, 256 y 512 GB, lo que representa un gran avance para la memoria móvil, al elevar considerablemente el listón de las velocidades de almacenamiento de los smartphones. Con soporte para descargas de datos de hasta 1.200 megabytes por segundo (MB/s), las variantes de 256GB y 512GB del UFS 3.1 ayudarán a que las velocidades de escritura secuencial de gigabytes sean la nueva normalidad.

Este rendimiento ultrarrápido hace que el UFS 3.1 de 512 GB sea aproximadamente tres veces más rápido que su predecesor, el UFS 3.0 de 512 GB del año pasado, que admitía transferencias de hasta 410 MB/s. También hace que la solución sea aproximadamente 10 veces más rápida que una tarjeta microSD y más del doble que algunos SSD SATA para PC.

Más información

La tecnología de almacenamiento permite a las empresas disponer de la capacidad necesaria para poder gestionar sus datos. Si quiere conocer más sobre la propuesta de Samsung Storage puede consultar este enlace.