Desbloqueando un nuevo nivel de rendimiento con SDRAM DDR5 (y II)

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Samsung memoria ssd

DDR5 no solo mejora el rendimiento con respecto a su predecesor, sino que también ofrece una escalabilidad mejorada. Con velocidades máximas de transferencia de datos de hasta 4.800 Mbps, las memorias DDR5 de Samsung están diseñadas para manejar cargas de trabajo pesadas.

Para satisfacer las demandas de las CPU de próxima generación, DDR5 ofrece velocidades de datos mucho más altas, menor consumo de energía y mayor densidad. En su lanzamiento, DDR5 presentaba una velocidad de datos máxima de 4800 millones de transferencias por segundo (MT/s), en comparación con los 3200 MT/s de DDR4. Las comparaciones lado a lado en simulaciones a nivel de sistema muestran que DDR5 tiene aproximadamente 1,87 veces el ancho de banda efectivo de DDR4.

DDR5 aumenta la longitud de ráfaga a BL16, aproximadamente el doble que la de DDR4, mejorando la eficiencia del bus de datos. La misma transacción de lectura o escritura ahora proporciona el doble de datos en el bus de datos al tiempo que limita la exposición a restricciones de tiempo de E/S dentro del mismo banco. Además, DDR5 duplica la cantidad de grupos de bancos, un factor clave para mejorar la eficiencia general del sistema al permitir que se abran más páginas en un momento dado. Todos estos factores implican una memoria más rápida y eficiente para satisfacer las demandas de la informática de próxima generación. Pero DDR5 no solo mejora el rendimiento, también ofrece una escalabilidad mejorada.

Los tiempos de núcleo de DRAM optimizados y el código de corrección de errores On-die son los dos factores principales que mejoran la escalabilidad de DDR5. Si bien las arquitecturas de memoria continúan escalando año tras año, tiene un coste que incluye caídas en la capacidad de la celda DRAM y aumento de la resistencia de contacto en las líneas de bits. DDR5 aborda estos inconvenientes y permite un escalado más confiable con tiempos de núcleo optimizados que son críticos para garantizar el tiempo adecuado para escribir, almacenar y detectar cargas en la celda DRAM.

El código de corrección de errores (ECC) On-die mejora la integridad de los datos y reduce la carga de corrección de errores del sistema al realizar la corrección durante los comandos READ antes de enviar los datos. DDR5 también introduce una limpieza de verificación de errores donde la DRAM leerá los datos internos y volverá a escribir los datos corregidos si ocurre un error.

Aprovechando sus innovaciones de memoria, Samsung ha desarrollado memorias DDR5 que proporcionan un rendimiento potente y confiable capaz de manejar las crecientes demandas de los servidores modernos.

Con velocidades máximas de transferencia de datos de hasta 4.800 Mbps, las memorias DDR5 de Samsung están diseñadas para manejar cargas de trabajo pesadas. Para maximizar la capacidad de almacenamiento, utilizan la tecnología TSV de 8 capas de la compañía, lo que permite que un solo chip de DDR5 contenga el doble de pilas en comparación con DDR4. Cada módulo DIMM también proporciona hasta 512 GB de almacenamiento. Las DDR5 de Samsung también cuentan con un circuito de ECC para mejorar la fiabilidad.

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La tecnología de almacenamiento permite a las empresas disponer de la capacidad necesaria para poder gestionar sus datos. Si quiere conocer más sobre la propuesta de Samsung Storage puede consultar este enlace.