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Samsung Flashbolt, 'la DRAM de mayor rendimiento disponible en la actualidad'

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Samsung Flashbolt

Esta memoria premium entrega el doble de capacidad que la HBM2 'Aquabolt' de 8GB de la generación anterior, y también aumenta drásticamente el rendimiento y la eficiencia energética para mejorar significativamente los sistemas informáticos de próxima generación.

El pasado mes de febrero, Samsung Electronics anunció el lanzamiento de 'Flashbolt', su tercera generación de High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), que, con 16 gigabytes (GB) es especialmente adecuado para maximizar los sistemas de computación de alto rendimiento (HPC) y ayudar a los fabricantes de sistemas a avanzar en sus supercomputadoras, análisis de datos impulsados por IA y sistemas gráficos de última generación.

Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing en Samsung Electronics, aseguraba que la HBM2E es “la DRAM de mayor rendimiento disponible en la actualidad”. Según Choi, "Samsung continuará cumpliendo con su compromiso de brindar soluciones verdaderamente diferenciadas a medida que reforzamos nuestra ventaja en el mercado de la memoria global".

Flashbolt entrega el doble de capacidad que la memoria HBM2 'Aquabolt' de 8GB de la generación anterior, y también aumenta drásticamente el rendimiento y la eficiencia energética para mejorar significativamente los sistemas informáticos de próxima generación. La capacidad de 16 GB se logra apilando verticalmente ocho capas de troqueles DRAM de 10nm (1y) de 16 gigabits (Gb) en la parte superior de un chip buffer. HBM2E se interconecta en una disposición precisa de más de 40.000 microbombas TSV (through silicon via), con cada troquel de 16 Gb que contiene más de 5.600 de estos agujeros microscópicos.

Flashbolt de Samsung proporciona una velocidad de transferencia de datos altamente confiable de 3,2 gigabits por segundo (Gbps) al aprovechar un diseño de circuito optimizado patentado para la transmisión de señal, al tiempo que ofrece un ancho de banda de memoria de 410GB/s por pila. HBM2E también puede alcanzar una velocidad de transferencia de 4,2 Gbps, la velocidad de datos máxima probada hasta la fecha, permitiendo un ancho de banda de hasta 538 Gb/s por pila en ciertas aplicaciones futuras. Esto representaría una mejora de 1.75x sobre los 307GB/s de Aquabolt.

La compañía continua proporcionando su línea Aquabolt de segunda generación mientras expande su oferta de Flashbolt de tercera generación, y fortalecerá aún más las colaboraciones con los socios del ecosistema en los sistemas de próxima generación a medida que acelera la transición a las soluciones HBM en todo el mercado de memoria premium.

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